Gäller från och med: Höstterminen 2014
Beslutad av: FN1/Anders Gustafsson
Datum för fastställande: 2014-10-20
Avdelning: Inst för elektro- och informationsteknik
Kurstyp: Ren forskarutbildningskurs
Undervisningsspråk: Engelska
Kursen syftar till att ge en modern beskrivning av fysiken för fälteffektransistorer på nanometerskala. På dessa längdskalor är elektrontransporten kvasi-ballistisk, och beskrivs således annorlunda jämfört med de traditionella diffusiva transistor modellerna. Efter kursen bör studenten kunna tillgodogöra sig artiklar från relevanta vetenskapliga journaler.
Kunskap och förståelse
För godkänd kurs skall doktoranden
Färdighet och förmåga
För godkänd kurs skall doktoranden
Värderingsförmåga och förhållningssätt
För godkänd kurs skall doktoranden
Grundläggande transportfysik 1D och 2D MOS elektrostatik Fundamentala begränsningar för CMOS-switchar Ballistiska 2D MOSFETar Diffusiva MOSFETar Grundläggande spridningsteori Ballistiska 1D FETs och koltubs-transistorer Molekylära FETs och en-elektron-transistorer
Lundstrom, M. & Guo, J.: Nanoscale Transistors. Springer, 2005. ISBN 9780387280028.
Finns som e-bok
Undervisningsformer: Föreläsningar, övningar
Examinationsform: Skriftlig tentamen
Betygsskala: Underkänd, godkänd
Examinator:
Förutsatta förkunskaper: Grundläggande kunskaper inom halvledarfysik och fälteffektransistorer
Kursansvarig: Erik Lind, erik.lind@eit.lth.se
Kursansvarig: Erik Lind <erik.lind@eit.lth.se>
Hemsida: http://www.eit.lth.se/index.php?gpuid=234&L=0