Detaljer för kursplan för kurs EITP01F giltig från och med VT 2018 Utskriftsvänlig visning Kurskod:EITP01F Gäller från och med:Vårterminen 2018 Kursplanen är fastställd Allmänt Undervisningsspråk:Engelska Ges:Varje vårtermin Kurshemsida:https://www.eit.lth.se/course/eitp01 Syfte Målet med denna kurs är att ge kunskaper om fysiken bakom moderna transistorer optimerade för mycket höga frekvenser, samt att introducera högfrekvent mätteknik. Enklare förstärkardesign för mikrovågsfrekvenser introduceras. Kursen ger en modern beskrivning av transistorer relevant för kvantbrunns och FinFETs, främst baserad på ballistisk transport. Innehåll Grundläggande halvledarfysik: tillståndstäthet, bandstruktur och Fermi-Dirac-statistik för tvådimensionella kvantstrukturer.. Ballistisk och diffusiv transport i halvedare Småsignalmodellering och två-port beskrivning. Ström och effektförstärkning. Stabilitet. (Heterostruktur)-fälteffekttransistorn – Geometri. Diffusiva och ballistiska DC och AC-modeller med transkapacitanser. Parasitresistanser och kapacitanser. Brusegenskaper. Transmissionsledare och smithcharts. Enklare design av lågbrusförstärkare. Kunskap och förståelse För godkänd kurs skall doktoranden förklara den grundläggande fysiken bakom ballistiska fälteffektransistorer. förklara bakgrunden till hybrid-pi modellen och transkapacitanser. beskriva relevanta högfrekvensparametrar för enklare förstärkare. förstå Smith-chart representation av transmissionsledare relatera högfrekvensegenskaper från en komponents geometri och materialegenskaper Färdighet och förmåga För godkänd kurs skall doktoranden utföra relevanta RF och DC beräkningar för transistorer tillämpa två-port beskrivning för transistormodelering beräkna maximala frekvensprestanda för en transistor utföra enklare parameterextraheringar utföra enklare design av en mikrovågsförstärkare Värderingsförmåga och förhållningssätt För godkänd kurs skall doktoranden inse behovet av skalning för ökad prestanda förstå bakgrunden till en transistors maximala högfrekvensprestanda Undervisningsformer Föreläsningar Seminarier Laborationer övningar Examinationsformer Skriftlig tentamen Inlämningsuppgifter Seminarieföredrag av deltagarna Betygsskala:Underkänd, godkänd Förkunskapskrav Inga Förutsatta förkunskaper Motsvarande ESS030/ESSF20 Komponentfysik eller FFF021/FFN30 Halvledarfysik eller ETIN70 Modern elektronik Urvalskriterier Litteratur Litteratur:Liu, W.: Fundamentals of III-V Devices: HBTs, MESFETs and HFETs/HEMTs.. Wiley Interscience, 1999. ISBN 9780471297000.Lundstrom, M. & Guo, J.: Nanoscale Transistors, Device Physics, Modeling and Simulation.. Springer, 2006. ISBN 9781441939159.Föreläsningsanteckningar och utskrifter. Övrig information Kursansvarig: Mattias Borg, mattias.borg@eit.lth.se Kurskod Kurskod:EITP01F Administrativ information Datum för fastställande: -12-07 Beslutad av:Professor Thomas Johansson Alla publicerade kurstillfällen för kursplanen Inga matchande kurstillfällen hittades. 0 kurstillfällen. Utskriftsvänlig visning