lu.se

Forskar­utbildnings­kurser

Lunds tekniska högskola | Lunds universitet

Detaljer för kursplan för kurs EITP01F giltig från och med VT 2018

Utskriftsvänlig visning

Allmänt
Syfte
  • Målet med denna kurs är att ge kunskaper om fysiken bakom moderna transistorer optimerade för mycket höga frekvenser, samt att introducera högfrekvent mätteknik. Enklare förstärkardesign för mikrovågsfrekvenser introduceras.

    Kursen ger en modern beskrivning av transistorer relevant för kvantbrunns och FinFETs, främst baserad på ballistisk transport.
Innehåll
  • Grundläggande halvledarfysik: tillståndstäthet, bandstruktur och Fermi-Dirac-statistik för tvådimensionella kvantstrukturer..

    Ballistisk och diffusiv transport i halvedare

    Småsignalmodellering och två-port beskrivning. Ström och effektförstärkning. Stabilitet.

    (Heterostruktur)-fälteffekttransistorn – Geometri. Diffusiva och ballistiska DC och AC-modeller med transkapacitanser. Parasitresistanser och kapacitanser. Brusegenskaper.

    Transmissionsledare och smithcharts. Enklare design av lågbrusförstärkare.
Kunskap och förståelse
  • För godkänd kurs skall doktoranden
  • förklara den grundläggande fysiken bakom ballistiska fälteffektransistorer.

    förklara bakgrunden till hybrid-pi modellen och transkapacitanser.

    beskriva relevanta högfrekvensparametrar för enklare förstärkare.

    förstå Smith-chart representation av transmissionsledare

    relatera högfrekvensegenskaper från en komponents geometri och materialegenskaper
Färdighet och förmåga
  • För godkänd kurs skall doktoranden
  • utföra relevanta RF och DC beräkningar för transistorer

    tillämpa två-port beskrivning för transistormodelering

    beräkna maximala frekvensprestanda för en transistor

    utföra enklare parameterextraheringar

    utföra enklare design av en mikrovågsförstärkare
Värderingsförmåga och förhållningssätt
  • För godkänd kurs skall doktoranden
  • inse behovet av skalning för ökad prestanda
    förstå bakgrunden till en transistors maximala högfrekvensprestanda
Undervisningsformer
  • Föreläsningar
  • Seminarier
  • Laborationer
  • övningar
Examinationsformer
  • Skriftlig tentamen
  • Inlämningsuppgifter
  • Seminarieföredrag av deltagarna
  • Underkänd, godkänd
Förkunskapskrav
  • Inga
Förutsatta förkunskaper
Urvalskriterier
Litteratur
  • Liu, W.: Fundamentals of III-V Devices: HBTs, MESFETs and HFETs/HEMTs.. Wiley Interscience, 1999. ISBN 9780471297000.
    Lundstrom, M. & Guo, J.: Nanoscale Transistors, Device Physics, Modeling and Simulation.. Springer, 2006. ISBN 9781441939159.
    Föreläsningsanteckningar och utskrifter.
Övrig information
  • Kursansvarig: Mattias Borg, mattias.borg@eit.lth.se
Kurskod
  • EITP01F
Administrativ information
  •  -12-07
  • Professor Thomas Johansson

Alla publicerade kurstillfällen för kursplanen

Inga matchande kurstillfällen hittades.

0 kurstillfällen.


Utskriftsvänlig visning