Engelska

Vid tillräcklig efterfrågan

Kursen syftar till att ge en modern beskrivning av fysiken för fälteffektransistorer på nanometerskala. På dessa längdskalor är elektrontransporten kvasi-ballistisk, och beskrivs således annorlunda jämfört med de traditionella diffusiva transistor modellerna. Efter kursen bör studenten kunna tillgodogöra sig artiklar från relevanta vetenskapliga journaler.

Grundläggande transportfysik
1D och 2D MOS elektrostatik
Fundamentala begränsningar för CMOS-switchar
Ballistiska 2D MOSFETar
Diffusiva MOSFETar
Grundläggande spridningsteori
Ballistiska 1D FETs och koltubs-transistorer
Molekylära FETs och en-elektron-transistorer

kunna analysera fälteffekttransistorer utifrån antagande om ballistisk transport
kunna beskriva effekten av spridning för kvasi-ballistisk elektrontransport i 2D MOSFETs
kunna förklara effekten av 2D elektrostatik för en FETs prestanda
kunna förklara hur bandstrukturen påverkar den ballistiska strömmen hos 1D och 2D MOSFETs
kunna beskriva en-elektron transistorns funktion

Självständigt kunna utföra beräkningar av strömmar i 1D och 2D ballistiska transistorer
Kunna utföra approximationer för starkt degenererade och icke-degenererade biaseringsvillkor
kunna relatera lågfältsmobilitet till spridningslängd

kunna visa förståelse för skillnaderna mellan diffusiva och ballistiska transistormodeller
kunna reflektera över möjligheter och fundamentala begränsningar för MOS-transistorer

Föreläsningar

övningar

Skriftlig tentamen

Underkänd, godkänd

Grundläggande kunskaper inom halvledarfysik och fälteffektransistorer

Lundstrom, M. & Guo, J.: Nanoscale Transistors. Springer, 2005. ISBN 9780387280028.

Finns som e-bok

Kursansvarig: Erik Lind, erik.lind@eit.lth.se

EIT115F

 -10-20

FN1/Anders Gustafsson